Diferencia entre el IGBT y el tiristor

IGBT vs Tiristor

El tiristor y el IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de dispositivos semiconductores con tres terminales y ambos se utilizan para controlar las corrientes. Ambos dispositivos tienen un terminal de control llamado 'gate', pero tienen diferentes principios de operación.

Tiristor

El tiristor está formado por cuatro capas semiconductoras alternas (en forma de P-N-P-N), por lo tanto, consta de tres uniones PN. En el análisis, esto se considera como un par de transistores estrechamente acoplados (uno PNP y otro en configuración NPN). Las capas semiconductoras de tipo P y N más externas se denominan ánodo y cátodo, respectivamente. El electrodo conectado a la capa semiconductora interna tipo P se conoce como la 'puerta'.

En funcionamiento, el tiristor actúa conduciendo cuando se suministra un pulso a la puerta. Tiene tres modos de operación conocidos como 'modo de bloqueo inverso', 'modo de bloqueo hacia adelante' y 'modo de conducción hacia adelante'. Una vez que la compuerta se dispara con el pulso, el tiristor pasa al "modo de conducción directa" y continúa conduciendo hasta que la corriente directa se hace menor que el umbral "corriente de retención".

Los tiristores son dispositivos de potencia y la mayoría de las veces se usan en aplicaciones donde están involucradas altas corrientes y voltajes. La aplicación de tiristores más utilizada es el control de corrientes alternas..

Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Recopilador' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor, que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación por lo que es altamente eficiente. IGBT ha sido introducido al mercado en los años 80..

IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es accionado por compuerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas de alta capacidad de manejo de corriente y facilidad de control. Los módulos IGBT (compuestos por varios dispositivos) manejan kilovatios de potencia.