Diferencia entre BJT y IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Transistor de unión bipolar) e IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de transistores utilizados para controlar las corrientes. Ambos dispositivos tienen uniones PN y diferentes en la estructura del dispositivo. Aunque ambos son transistores, tienen diferencias significativas en sus características..

BJT (Transistor De Unión Bipolar)

BJT es un tipo de transistor que consta de dos uniones PN (una unión realizada mediante la conexión de un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n). Estas dos uniones se forman utilizando tres piezas semiconductoras conectadas en el orden de P-N-P o N-P-N. Por lo tanto, dos tipos de BJT, conocidos como PNP y NPN, están disponibles.

Tres electrodos están conectados a estas tres partes semiconductoras y el cable intermedio se llama "base". Otras dos uniones son 'emisor' y 'colector'.

En BJT, emisor de colector grande (I_do) la corriente es controlada por la corriente de emisor de base pequeña (I_segundo), y esta propiedad es explotada para diseñar amplificadores o interruptores. Por lo tanto, se puede considerar como un dispositivo accionado actualmente. BJT se utiliza principalmente en circuitos amplificadores.

IGBT (Transistor Bipolar De Puerta Aislada)

IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Recopilador' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor, que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación por lo que es altamente eficiente. IGBT ha sido introducido al mercado en los años 80..

IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es accionado por compuerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas de alta capacidad de manejo de corriente y facilidad de control. Los módulos IGBT (compuestos por varios dispositivos) manejan kilovatios de potencia.